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HFDD5614P
耐压:60V 电流:20A
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- 描述
- 此款P沟道MOSFET场效应管，具备20A的连续漏极电流（ID）和60V的漏源极耐压（VDSS），确保了其在高功率应用中的稳定性能。其导通电阻（RDON）仅为64mΩ，在保证高效能的同时，有效降低了发热。该元件支持±20V的栅源电压（VGS），增强了电路设计的灵活性。适用于需要精确电流控制和快速开关响应的电子产品中，如电源管理、信号放大等场合。
- 商品型号
- HFDD5614P
- 商品编号
- C42401420
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.389克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 100mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 40W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 48nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.46nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 155pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 配置 | - | |
| 输出电容(Coss) | 220pF |
优惠活动
购买数量
(2500个/圆盘，最小起订量 5 个)个
起订量：5 个2500个/圆盘
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