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HDMP3035LSS13
N沟道 耐压:30V 电流:11A
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- 描述
- 本款P沟道MOSFET具有优秀的电气特性，最大漏极电流(ID)为11A，最高漏源电压(VDSS)达到30V，导通电阻(RDS(on))低至13mΩ，支持20V的栅源电压(VGS)。这些特点使其成为电源转换、电池管理及各类电子设备中理想的选择，特别适合于要求高效率、低损耗的应用场景。其卓越的性能有助于提升电路的整体表现，确保稳定可靠的工作状态。
- 商品型号
- HDMP3035LSS13
- 商品编号
- C42401418
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.129克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 11A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 16mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 3.7W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 22nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.33nF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 156pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 |
优惠活动
购买数量
(3000个/圆盘，最小起订量 5 个)个
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