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HBSC052N03LS
N沟道 耐压:30V 电流:70A
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- 描述
- 这款N沟道MOSFET具备出色的电气特性，其最大漏极电流（ID）可达80A，最大漏源电压（VDSS）为30V，导通电阻（RDON）仅为4.7mΩ，在20V栅源电压（VGS）下工作稳定。该场效应管适用于各种需要高效能转换与控制的应用场景，如电源管理、消费电子设备中的信号调节等，能够提供稳定的性能表现和较低的功耗，确保电路设计的灵活性与可靠性。
- 商品型号
- HBSC052N03LS
- 商品编号
- C42401415
- 商品封装
- DFN-8(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.136克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 70A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 59W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 20nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.295nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 210pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
HBSC052N03LS采用先进的沟槽技术,可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷,并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 30V ID = 70A
- RDS(ON) < 7mΩ VGS = 10V
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源