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HDMP2045UQ7
耐压:20V 电流:5A
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- 描述
- 此款P沟道MOSFET，具有最大漏极电流5A，漏源电压20V，导通电阻35mΩ，以及12V的栅源电压阈值。这些特性使其非常适合应用于需要精准电流控制和低损耗的电路中，例如电源开关、电池管理系统及便携式电子设备内的信号路径控制。其紧凑的设计和高效的性能，为电路设计者提供了优化系统效率和可靠性的理想选择。
- 商品型号
- HDMP2045UQ7
- 商品编号
- C42401416
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0275克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 45mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.31W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 14.3nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 857pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 151pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - |
商品概述
HDMP2045UQ7采用先进的沟槽技术,可提供出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷,并能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- 漏源电压VDS = -20 V,漏极电流ID = -5 A
- 当栅源电压VGS = 4.5 V时,导通电阻RDS(ON) < 45 mΩ
应用领域
- 脉冲宽度调制(PWM)应用
- 负载开关
- 电源管理