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HAM2305PE
耐压:20V 电流:5A
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- 描述
- 这款P沟道MOSFET具备5A的最大漏极电流、20V的漏源耐压、35mΩ的导通电阻以及12V的栅源驱动电压。它适用于多种需要高效开关和低功耗的应用场合，如电源转换、电池保护电路和数字逻辑电路中的电平转换。其优良的电气特性和稳定性，使得该MOSFET成为电子设计中实现高性能和可靠性的关键组件。
- 商品型号
- HAM2305PE
- 商品编号
- C42401417
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0255克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 85mΩ@1.8V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.31W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 14.3nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 857pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 151pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - |
商品概述
HAM2305PE采用先进的沟槽技术,可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷,并能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = -20V,ID = -5A
- 当VGS = 4.5V时,RDS(ON) < 45mΩ
应用领域
- PWM应用
- 负载开关
- 电源管理