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HAM3930N
N沟道 耐压:30V 电流:4.5A
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- 描述
- 这款N沟道MOSFET场效应管具有4.5A的最大连续漏极电流和30V的漏源极击穿电压。其导通电阻仅为29毫欧，确保了在高电流应用中拥有较低的功率损耗。该器件的栅源极电压范围为12V，适用于多种电路设计，能够实现高效的开关操作。适用于电源管理、电池充电保护及各类消费电子产品中的信号处理与转换。
- 商品型号
- HAM3930N
- 商品编号
- C42401412
- 商品封装
- SOT-23-6L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.034克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 38mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.25W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 3nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 233pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 33pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
HAM3930N采用先进的沟槽技术,可提供出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷,并能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- 漏源电压VDS = 30V,漏极电流ID = 4.5A
- 当栅源电压VGS = 10V时,导通电阻RDS(ON) < 38mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源