HFDS8878
HFDS8878
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- 描述
- 这款N+N沟道场效应管（MOSFET）具有卓越的电气特性，最大漏极电流ID为11.5A，漏源极断态电压VDSS达到30V，导通电阻RDON仅为10mΩ，支持的栅源极电压VGS为±20V。这些参数使其成为高效开关电源转换器、电池管理系统及各种电子设备中信号处理与控制的理想选择。其低导通电阻特性有助于降低能耗，提升系统效率。同时，该MOSFET的稳定性和可靠性也确保了在复杂电路环境下的良好表现。
- 商品型号
- HFDS8878
- 商品编号
- C42401410
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.172克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 11.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 22.5mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 3.2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 15nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 633pF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 99pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 |
优惠活动
购买数量
(3000个/圆盘，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个3000个/圆盘
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