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HSI2102A
1个N沟道 耐压:20V 电流:2A
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- 描述
- 这款N沟道场效应管（MOSFET）拥有2安培的最大连续漏极电流和20伏的最大漏源电压。其导通电阻为49毫欧，在12伏的栅源电压下可实现高效的电流控制。此MOSFET适用于需要精确调节电流和快速开关响应的电路，例如电源管理、信号处理和电子设备中的负载切换。它的小尺寸和高性能使其成为紧凑型设计的理想选择。
- 商品型号
- HSI2102A
- 商品编号
- C42401407
- 商品封装
- SOT-323
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.024242克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 55mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 300mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 700mV |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 300pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 80pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 120pF |