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HFDN302P
P沟道 耐压:20V 电流:5A
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- 描述
- 本款P沟道MOSFET场效应管提供5安培的连续漏极电流（ID）以及20伏特的最大漏源电压（VDS），适用于多样化的电子设备中。它拥有35毫欧的低导通电阻（RDS(on)），在12伏特的栅源电压（VGS）下工作表现尤为突出，保证了高效率和低热量产生。此元件非常适合用于电源管理、信号切换和保护电路等应用领域，是提升系统性能的理想选择。
- 商品型号
- HFDN302P
- 商品编号
- C42401408
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.027克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 45mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.31W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 14.3nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.2nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 151pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 160pF |
商品概述
HFDN302P采用先进的沟槽技术,可实现出色的RDS(ON)、低栅极电荷,并能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = -20V,ID = -5A
- 在VGS = 4.5V时,RDS(ON) < 45mΩ
应用领域
- PWM应用
- 负载开关
- 电源管理