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HNXV40UNR
N沟道 耐压:20V 电流:3A
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- 描述
- 这款N沟道场效应管（MOSFET）具有3安培的最大连续漏极电流和20伏的最大漏源电压。其导通电阻仅为45毫欧，在12伏的栅源电压下表现出色，确保了低功耗和高效能。适用于需要精确电流控制和快速开关响应的应用场合，如电源管理、信号调理电路及便携式设备中的负载切换等。该元件设计紧凑，易于集成到各种电路中，满足多样化的设计需求。
- 商品型号
- HNXV40UNR
- 商品编号
- C42401405
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.028788克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 60mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 900mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 260pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 27pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 48pF |
商品概述
HNXV40UNR采用先进的沟槽技术,可实现出色的RDS(ON)、低栅极电荷,并能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 20 V,ID = 3.0 A
- 在VGS = 4.5 V时,RDS(ON) < 53 mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源