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HSiRA18BDP
1个N沟道 耐压:30V 电流:60A
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- 描述
- 这款N沟道MOSFET具有60A的连续漏极电流承载能力和30V的最大漏源电压，其导通电阻仅为6mΩ，有效降低了电力传输过程中的能量损耗。支持高达±20V的栅源电压，保证了广泛的工作条件适应性。适用于各种电源转换、信号放大以及电子开关应用，如笔记本电脑充电器、家用电器控制器等，能够提供高效的电能管理和稳定的性能表现。
- 商品型号
- HSiRA18BDP
- 商品编号
- C42401404
- 商品封装
- DFN3X3-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.058794克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 60A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 59W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 20nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.295nF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 210pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - |
优惠活动
购买数量
(5000个/圆盘，最小起订量 5 个)个
起订量：5 个5000个/圆盘
总价金额：
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