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HSI3134KEATP
耐压:20V 电流:0.8A
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- 描述
- 该N沟道场效应管(MOSFET)具备0.8A的连续漏极电流能力，支持高达20V的漏源电压。其导通电阻仅为100毫欧姆，能够有效降低功耗和提高效率。栅源电压范围达到8V，适用于要求低驱动电压的应用场景。这款MOSFET设计紧凑、性能稳定，非常适合于需要精确控制与快速开关响应的小型电子设备中使用，如消费电子产品或家用电器等领域。
- 商品型号
- HSI3134KEATP
- 商品编号
- C42401397
- 商品封装
- SOT-523
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.021717克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 800mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 360mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 150mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 50pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 4.5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 输出电容(Coss) | 7pF |
商品概述
HSI3134KEATP采用先进的沟槽技术,可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷,且能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 20 V,ID = 0.8 A
- 在VGS = 4.5 V时,RDS(ON) < 250 mΩ
- 在VGS = 2.5 V时,RDS(ON) < 360 mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源
- SOT - 523
- N沟道MOSFET