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HZXMP3F30FHTA
耐压:30V 电流:4.1A
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- 描述
- 此款P沟道场效应管（MOSFET）设计用于要求严苛的电子电路，提供4.1A的连续漏极电流和30V的最大漏源电压。其导通电阻仅为48mΩ，有助于减少功率损耗，提高整体效率。该MOSFET的栅源电压范围为±20V，能够适应广泛的电压条件。它非常适合应用于个人电子设备、家用电器等领域的电源管理和信号切换，确保了系统的稳定性和可靠性。
- 商品型号
- HZXMP3F30FHTA
- 商品编号
- C42401400
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.028克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.1A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 56mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.32W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 7.3nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 650pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 95pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 输出电容(Coss) | 115pF |
商品概述
HZXMP3F30FHTA采用先进的沟槽技术,可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷,并能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = -30V,ID = -4.1A
- 在VGS = 10V时,RDS(ON) < 56mΩ
应用领域
- PWM应用
- 负载开关
- 电源管理