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HMMBF170L
N沟道 耐压:60V 电流:0.3A
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- 描述
- 这款N沟道场效应管（MOSFET）具备出色的电气性能，其最大漏极电流ID可达0.3A，耐压值VDSS高达60V，确保了在高电压环境下的稳定工作。导通电阻RDSON仅为1000mΩ，在降低功耗的同时提高了效率。该MOSFET的栅源电压VGS范围为20V，支持高效能的开关操作。适用于需要精准电流控制与转换效率的应用场合，如电源管理、信号放大及各类电子设备中的开关功能。
- 商品型号
- HMMBF170L
- 商品编号
- C42401401
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.027克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 300mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3Ω@5V | |
| 耗散功率(Pd) | 350mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.9V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 3nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 50pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 5pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 25pF |