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HDMN24H11DS7
耐压:240V 电流:0.1A
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- 描述
- 这款N沟道场效应管（MOSFET）拥有0.1A的最大漏极电流ID，以及240V的漏源极断态电压VDSS，适合应用于需要高电压耐受能力的电路设计中。其导通电阻RDSON为3000mΩ，虽然相对较高，但在低电流应用中仍能保持较低的功率损耗。栅源极电压VGS为20V，保证了良好的驱动性能。该MOSFET适用于各种需要精确控制和高效率转换的电子产品，如便携式设备的电源管理和信号处理电路。
- 商品型号
- HDMN24H11DS7
- 商品编号
- C42401402
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.028克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 240V | |
| 连续漏极电流(Id) | 100mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 14Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 360mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.8V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 3.1nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 77pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 4.2pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 输出电容(Coss) | 10pF |
商品概述
HDMN24H11DS7采用先进的沟槽技术,可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷,并能在低至4.5 V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 240 V,ID = 0.1 A
- RDS(ON) < 140 Ω,VGS = 10 V
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源