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HFDD5680
N沟道 耐压:60V 电流:50A
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- 描述
- 此款N沟道场效应管（MOSFET）拥有强大的电流承载能力和较低的导通电阻，其连续漏极电流ID可达50A，最大漏源电压VDSS为60V，导通电阻RDON仅为11mΩ，确保了高效能表现。器件支持的栅源极电压VGS范围至20V，适用于需要快速开关响应和低损耗的应用场景。该MOSFET凭借其优异的性能，是构建高效电源转换器、信号放大及各类电子装置中不可或缺的关键元件。
- 商品型号
- HFDD5680
- 商品编号
- C42401399
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.423克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 15mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 45W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 19.3nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.423nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 97pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 145pF |
优惠活动
购买数量
(2500个/圆盘，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个2500个/圆盘
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