- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
HNTR4003NT1G
P沟道 耐压:20V 电流:2.3A
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- 描述
- 这款N沟道场效应管(MOSFET)具备4A的漏极电流(ID)能力，漏源击穿电压(VDSS)为30V，适用于低压操作环境。其导通电阻(RDON)低至29毫欧(mR)，有助于减少能量损耗并提高效率。栅源电压(VGS)额定值为20V，确保了器件在不同工作条件下的稳定性和可靠性。此MOSFET凭借其低导通电阻和快速开关特性，非常适合用于需要高效电源管理和紧凑设计的电子设备中，如便携式设备和消费电子产品，能够有效提升整体性能和能效比。
- 商品型号
- HNTR4003NT1G
- 商品编号
- C42401394
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.027克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 29mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 3nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 233pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 33pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 44pF |