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HNTR4003NT1G
P沟道 耐压:20V 电流:2.3A
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- 描述
- 这款N沟道场效应管(MOSFET)具备4A的漏极电流(ID)能力，漏源击穿电压(VDSS)为30V，适用于低压操作环境。其导通电阻(RDON)低至29毫欧(mR)，有助于减少能量损耗并提高效率。栅源电压(VGS)额定值为20V，确保了器件在不同工作条件下的稳定性和可靠性。此MOSFET凭借其低导通电阻和快速开关特性，非常适合用于需要高效电源管理和紧凑设计的电子设备中，如便携式设备和消费电子产品，能够有效提升整体性能和能效比。
- 商品型号
- HNTR4003NT1G
- 商品编号
- C42401394
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.027克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 152mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 700mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 2.9nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 285pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 32pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 58pF |
商品概述
HNTR4003NT1G采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至1.8V的栅极电压下工作。该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。
商品特性
- VDS = - 20V，ID = - 2.3A
- 在VGS = - 4.5V时，RDS(ON) < 115mΩ
- 在VGS = - 2.5V时，RDS(ON) < 152mΩ
应用领域
- PWM应用
- 负载开关