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HIRLR3636TRPBF
N沟道 耐压:60V 电流:80A
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- 描述
- 这款N沟道场效应管（MOSFET）具备强大的电流处理能力，其最大连续漏极电流ID可达80A，适用于高负载场景。该器件支持最高60V的漏源电压VDSS，并且拥有仅为6mΩ的低导通电阻RDON，有效降低了工作时的能量损耗。栅源电压VGS为20V，确保了良好的驱动性能。由于其优异的电气特性，这款MOSFET非常适合应用于需要高效开关控制的各种电子设备中，如电源转换器、电池管理系统等，能够显著提升系统的整体效率与稳定性。
- 商品型号
- HIRLR3636TRPBF
- 商品编号
- C42401396
- 商品封装
- TO-252-2L(DPAK)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.378克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 80A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 15mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 104W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 3.3nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 180pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
HIRLR3636TRPBF采用先进的沟槽技术,可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷,并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 60V,ID = 80A
- 在VGS = 10V时,RDS(ON) < 8mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源