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HPMV280ENEA
耐压:100V 电流:3A
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- 描述
- 这款N沟道MOSFET支持高达3A的连续漏极电流和100V的最大漏源电压，适用于需要较高电压处理能力的应用场景。其导通电阻为210毫欧姆，有助于降低功耗。栅源电压范围达到20V，提供了良好的开关控制性能。该器件非常适合用于消费电子、家用电器等领域中的电源转换、负载开关及放大电路等用途。
- 商品型号
- HPMV280ENEA
- 商品编号
- C42401395
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.027273克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 248mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 13.6nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 711pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 23pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 输出电容(Coss) | 41pF |
商品概述
HPMV280ENEA采用先进的沟槽技术,可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷,并能在低至4.5 V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 100V,ID = 3A
- 在VGS = 10 V时,RDS(ON) < 248 mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源