温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
HSI4946CDYT1GE3
N沟道 耐压:60V 电流:6.5A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 这款N+N沟道场效应管具有良好的电气性能，适用于多种电子设备。其关键参数包括最大连续漏极电流ID为6.5A，能够承受最高达60V的漏源电压VDSS，保证了在较高电压环境下的可靠性；导通电阻RDON为32mΩ，有助于降低系统功耗；栅源电压VGS支持至20V，使得该MOSFET易于被各种控制器驱动。它特别适合于需要紧凑设计与高效能转换的应用场景，例如消费类电子产品中的开关电路或电源转换器等。
- 商品型号
- HSI4946CDYT1GE3
- 商品编号
- C42401392
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.131克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 48mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 50nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.92nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 116pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 |
优惠活动
购买数量
(3000个/圆盘，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个3000个/圆盘
总价金额：
￥ 0.00近期成交1单