温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
HSI4946CDYT1GE3
N沟道 耐压:60V 电流:6.5A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- 这款N+N沟道场效应管具有良好的电气性能，适用于多种电子设备。其关键参数包括最大连续漏极电流ID为6.5A，能够承受最高达60V的漏源电压VDSS，保证了在较高电压环境下的可靠性；导通电阻RDON为32mΩ，有助于降低系统功耗；栅源电压VGS支持至20V，使得该MOSFET易于被各种控制器驱动。它特别适合于需要紧凑设计与高效能转换的应用场景，例如消费类电子产品中的开关电路或电源转换器等。
- 商品型号
- HSI4946CDYT1GE3
- 商品编号
- C42401392
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.131克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 48mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 50nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.92nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 116pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
HSI4946CDYT1GE3采用先进的沟槽技术,可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷,并能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 60V,ID = 6.5A
- 当VGS = 10V时,RDS(ON) < 36 mΩ
- 当VGS = 4.5V时,RDS(ON) < 48 mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源