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HNVR5124PLT1G
P沟道 耐压:60V 电流:2A
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- 描述
- 这款P沟道MOSFET支持2A的连续漏极电流，最大漏源电压可达60V。其导通电阻为160毫欧姆，在栅源电压不超过20V时能够稳定工作。适用于消费电子、家用电器及个人电子设备中的电源管理和信号控制应用。凭借优异的电气性能和稳定性，该MOSFET有助于提高电路效率并减少能量损耗，是多种小型电子装置的理想选择。
- 商品型号
- HNVR5124PLT1G
- 商品编号
- C42401382
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0285克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 200mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.6V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 11.3nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 444.2pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 17.9pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 19.6pF |
优惠活动
购买数量
(3000个/圆盘，最小起订量 5 个)个
起订量：5 个3000个/圆盘
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