温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
HNVR5124PLT1G
P沟道 耐压:60V 电流:2A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- 这款P沟道MOSFET支持2A的连续漏极电流，最大漏源电压可达60V。其导通电阻为160毫欧姆，在栅源电压不超过20V时能够稳定工作。适用于消费电子、家用电器及个人电子设备中的电源管理和信号控制应用。凭借优异的电气性能和稳定性，该MOSFET有助于提高电路效率并减少能量损耗，是多种小型电子装置的理想选择。
- 商品型号
- HNVR5124PLT1G
- 商品编号
- C42401382
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0285克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 200mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.6V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 11.3nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 444.2pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 17.9pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 19.6pF |
商品概述
HNVR5124PLT1G采用先进的沟槽技术和设计,可在低栅极电荷的情况下实现出色的RDS(ON)。该器件非常适合用作负载开关或用于PWM应用。
商品特性
- V DS = - 60 V,I D = - 2 A
- 当 V GS = - 10 V 时,R DS(ON) < 180 mΩ
- 当 V GS = - 4.5 V 时,R DS(ON) < 200 mΩ
应用领域
- 负载开关
- PWM应用
- SOT-23
- P沟道MOSFET