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HIRLML2060TRPBF
N沟道 耐压:60V 电流:3A
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- 描述
- 这款N沟道场效应管(MOSFET)具有3A的连续漏极电流(ID)能力和60V的漏源电压(VDSS)，适用于中等功率需求的应用。其导通电阻仅为72mΩ，有助于降低功耗并提高效率。栅源电压(VGS)为20V，确保了良好的驱动兼容性。此MOSFET适合用于电源管理电路、消费电子设备中的开关控制以及各种家用电器内部的小型电机驱动等领域，是实现高效能电力转换和信号处理的理想选择。
- 商品型号
- HIRLML2060TRPBF
- 商品编号
- C42401387
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.028克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 85mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.7W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 7.5nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 510pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 26pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
HIRLML2060TRPBF采用先进的沟槽技术,可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷,并能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 60V,ID = 3A
- 在VGS = 10V时,RDS(ON) < 85mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源