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HDMG1013T7
耐压:20V 电流:0.66A
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- 描述
- 这款P沟道场效应管(MOSFET)拥有0.66A的连续漏极电流(ID)，能够承受高达20V的漏源电压(VDSS)，适用于需要良好开关特性的场景。其导通电阻(RDON)为260毫欧姆，确保了较低的能量损耗与高效能表现。此MOSFET还支持最大12V的栅源电压(VGS)，使得它在各种电子电路中易于驱动和控制。凭借这些特性，该产品非常适合用于要求紧凑设计且对效率有较高要求的应用场合，如消费电子产品内部的电源管理模块等。
- 商品型号
- HDMG1013T7
- 商品编号
- C42401388
- 商品封装
- SOT-523
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.021212克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 660mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 780mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 150mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 115pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 9pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 输出电容(Coss) | 15pF |
商品概述
HDMG1013T7采用先进的沟槽技术,可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷,并能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = -20V,ID = -0.66A
- 在VGS = -4.5V时,RDS(ON) < 560mΩ
- 在VGS = -2.5V时,RDS(ON) < 780mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源
- SOT - 523
- P沟道MOSFET