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HSI2343CDST1GE3
耐压:30V 电流:4.1A
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- 描述
- 这款P沟道场效应管(MOSFET)具备4.1A的连续漏极电流(ID)能力，适用于中等功率需求的应用场景。它能承受30V的漏源电压(VDSS)，并拥有低至48毫欧姆的导通电阻(RDON)，确保了高效的电流传导同时减少能量损失。该MOSFET支持最大20V的栅源电压(VGS)，易于集成到多种电子设备的设计之中。因其优秀的电气性能，特别适合用于消费类电子产品、家用电器以及便携式装置中的开关控制和电源管理电路。
- 商品型号
- HSI2343CDST1GE3
- 商品编号
- C42401389
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0285克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.1A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 90mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.32W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 7.3nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 650pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 95pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 输出电容(Coss) | 115pF |
商品概述
HSI2343CDST1GE3采用先进的沟槽技术,可提供出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷,并能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- 漏源电压VDS = -30V,漏极电流ID = -4.1A
- 当栅源电压VGS = 10V时,导通电阻RDS(ON) < 56mΩ
应用领域
- 脉宽调制(PWM)应用
- 负载开关
- 电源管理