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HDMG3415U7
耐压:20V 电流:4.1A
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- 描述
- 这款P沟道场效应管(MOSFET)具有4.1A的连续漏极电流(ID)，适用于需要中等电流处理能力的应用。其最大漏源电压(VDSS)为20V，导通电阻仅为34毫欧姆(RDON)，保证了较低的功率损耗和高效的电能转换。该MOSFET支持最高10V的栅源电压(VGS)，便于与各种控制电路兼容。它非常适合应用于消费电子、家用电器以及便携设备中的电源管理和开关控制功能，以实现紧凑且高效的设计。
- 商品型号
- HDMG3415U7
- 商品编号
- C42401390
- 商品封装
- SOT-23-3L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0315克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.1A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 45mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.4W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 900mV |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 12nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 950pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 120pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 输出电容(Coss) | 165pF |
商品概述
HDMG3415U7采用先进的沟槽技术,可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷,并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- ESD等级:1500V HBM
- SOT-23-3L
- P沟道MOSFET
应用领域
-电池保护-负载开关-不间断电源