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HBSS1237F
耐压:100V 电流:0.17A
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- 描述
- 这款N沟道场效应管(MOSFET)支持0.2A的连续漏极电流(ID)，具有高达100V的漏源电压(VDSS)耐受能力，适用于高压低电流环境。其导通电阻(RDON)为2800mΩ，在确保电路安全的同时提供可靠的开关功能。栅源电压(VGS)范围达到20V，使其能够良好地适应各种控制信号需求。此MOSFET非常适合用于需要精确控制的小功率应用中，比如小型电源转换器、LED照明控制系统以及各类便携式设备内部的保护电路等场景。
- 商品型号
- HBSS1237F
- 商品编号
- C42401386
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.027778克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 170mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 9Ω@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 350mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 30pF@50V | |
| 反向传输电容(Crss) | 7pF@50V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - |