温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
HNTR2101PT1G
耐压:20V 电流:5A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- 这款P沟道MOSFET具备5A的连续漏极电流能力与20V的漏源击穿电压，适用于多种电子电路设计。其低至35mΩ的导通电阻有助于减少功率损耗并提高系统效率。该器件支持最大12V的栅源电压，确保了良好的兼容性。凭借这些特性，它非常适合用于消费类电子产品中的电源开关、负载管理以及逻辑电平转换等场合，为用户提供稳定可靠的性能表现。
- 商品型号
- HNTR2101PT1G
- 商品编号
- C42401383
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0275克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 85mΩ@1.8V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.31W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 14.3nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 857pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 151pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - |
商品概述
HNTR2101PT1G采用先进的沟槽技术,可提供出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷,并且能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- 漏源电压VDS = - 20V,漏极电流ID = - 5A
- 当栅源电压VGS = 4.5V时,导通电阻RDS(ON) < 45mΩ
应用领域
- 高功率和大电流处理能力
- 符合无铅产品要求
- 表面贴装封装
- 脉宽调制(PWM)应用
- 负载开关
- 电源管理
- SOT - 23封装
- P沟道MOSFET