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HIRFR9120NTRPBF
P沟道 耐压:60V 电流:10A
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- 描述
- 这款P沟道MOSFET的最大连续漏极电流为10A，能够承受高达60V的漏源电压。其导通电阻仅为125毫欧姆，有助于减少能量损失并提高效率。该器件支持20V的栅源电压，适合在需要高效开关操作和良好热性能的应用中使用，例如消费电子产品中的电源管理和信号路径控制等场景。其优异的电气特性使其成为实现紧凑设计和高性能电路的理想选择。
- 商品型号
- HIRFR9120NTRPBF
- 商品编号
- C42401377
- 商品封装
- TO-252-2L(DPAK)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.39克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 10A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 140mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 31.3W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 12.1nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.137nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 50pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | P沟道 |
商品概述
HIRFR9120NTRPBF采用先进的沟槽技术,可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷,并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = - 60V ID = - 10A
- RDS(ON) < 140mΩ @ VGS = 10V
应用领域
- 无刷电机
- 负载开关
- 不间断电源