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HNTR4171PT1G
1个P沟道 耐压:30V 电流:4.2A
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- 描述
- 这款P沟道场效应管（MOSFET）设计用于需要高效率与紧凑尺寸的应用，其最大连续漏极电流为4.2A，能够承受30V的漏源电压。具有低至45毫欧姆的导通电阻，有助于减少功率损耗并提高系统效能。栅源电压工作范围为12V，确保了良好的驱动兼容性。该器件适用于电源转换、便携式设备及消费电子产品中的开关电路，以提供可靠的性能和长久的使用寿命。
- 商品型号
- HNTR4171PT1G
- 商品编号
- C42401379
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.028283克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 90mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 8.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 880pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 65pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | P沟道 |
商品概述
HNTR4171PT1G采用先进的沟槽技术,可实现出色的RDS(ON)。该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。
商品特性
- VDS = -30V,ID = -4.2A
- 当VGS = -10V时,RDS(ON) < 55mΩ
- 当VGS = -4.5V时,RDS(ON) < 75mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源