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HMDD1902
耐压:100V 电流:50A
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- 描述
- 此款50A额定电流的N沟道MOSFET，拥有100V的漏源极断态电压（VDSS）和18毫欧的导通电阻（RDSON）。其栅源极电压（VGS）可高达20V，确保了卓越的开关性能和低热损耗。该元件适用于多种电子设备中的电源管理和信号处理，如电池充电器、电源适配器以及便携式电子产品中的快速开关和高效转换，确保系统运行的高效性与稳定性。
- 商品型号
- HMDD1902
- 商品编号
- C42401380
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.422222克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 28mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 73W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 40nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.727nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 148pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - |
商品概述
HDMC3016LDV7采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 30V，ID = 16A
- 在VGS = 10V时，RDS(ON) < 20mΩ
- VDS = -30V，ID = -14A
- 在VGS = 10V时，RDS(ON) < 30mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源