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HSI2101ATP
耐压:20V 电流:1.8A
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- 描述
- 该P沟道场效应管（MOSFET）具有1.8A的连续漏极电流能力，能够承受高达20V的漏源电压。其导通电阻为120毫欧姆，在栅源电压不超过8V的情况下可以正常工作。适用于需要高效开关和良好热性能的应用场景，如消费电子设备、便携式装置以及各类小型电子控制系统中，以实现电源管理或信号切换等功能。这款MOSFET以其紧凑的设计和可靠的电气特性成为多种电路设计的理想选择。
- 商品型号
- HSI2101ATP
- 商品编号
- C42401381
- 商品封装
- SOT-323
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0245克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 150mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 290mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 680pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 95pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 输出电容(Coss) | 130pF |
商品概述
HSI2101ATP采用先进的沟槽技术,提供出色的RDS(ON)。该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。
商品特性
- VDS = -20V,ID = -1.8A
- 在VGS = -4.5V时,RDS(ON) < 150mΩ
应用领域
-电池保护-负载开关-不间断电源-P沟道MOSFET