温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
HFQD11P06TM
1个P沟道 耐压:60V 电流:10A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 这款P沟道场效应管（MOSFET）具有10A的连续漏极电流能力，能够承受高达60V的漏源电压。其导通电阻仅为125毫欧姆，保证了高效的电流传导和较低的功率损耗。栅源电压范围为20V，适合于需要精确控制的应用场合。凭借这些特性，该MOSFET适用于电源管理、负载开关以及各种消费电子设备中，以实现稳定可靠的电路性能。
- 商品型号
- HFQD11P06TM
- 商品编号
- C42401378
- 商品封装
- TO-252-2L(DPAK)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.39克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 10A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 140mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 31.3W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 12.1nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.137nF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 50pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | P沟道 |
商品概述
HFDMC6675BZ采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻RDS(ON)。该器件非常适合高电流负载应用。
商品特性
- 漏源电压VDS = - 30V，漏极电流ID = - 32A
- 当栅源电压VGS = - 10V时，导通电阻RDS(ON) < 12mΩ
- 当栅源电压VGS = - 4.5V时，导通电阻RDS(ON) < 18mΩ
应用领域
- 全桥转换器的高端开关
- 液晶显示器的DC/DC转换器