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HFQD11P06TM
1个P沟道 耐压:60V 电流:10A
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- 描述
- 这款P沟道场效应管（MOSFET）具有10A的连续漏极电流能力，能够承受高达60V的漏源电压。其导通电阻仅为125毫欧姆，保证了高效的电流传导和较低的功率损耗。栅源电压范围为20V，适合于需要精确控制的应用场合。凭借这些特性，该MOSFET适用于电源管理、负载开关以及各种消费电子设备中，以实现稳定可靠的电路性能。
- 商品型号
- HFQD11P06TM
- 商品编号
- C42401378
- 商品封装
- TO-252-2L(DPAK)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.39克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 10A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 140mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 31.3W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 12.1nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.137nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 50pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | P沟道 |
商品概述
HFQD11P06TM采用先进的沟槽技术,可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷,并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = -60V,ID = -10A
- 当VGS = 10V时,RDS(ON) < 140mΩ
应用领域
- 无刷电机
- 负载开关
- 不间断电源