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HNTD2955T4G
P沟道 耐压:60V 电流:10A
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- 描述
- 这款P沟道场效应管支持10A的连续漏极电流，具备60V的漏源电压耐受能力。其导通电阻仅为125毫欧姆，有助于减少功率损耗并提高整体效率。栅源电压范围达到20V，使得该MOSFET适用于各种电路设计中需要较高电流处理能力和快速开关特性的场合。它非常适合用于消费电子设备中的电源控制、负载切换等应用领域，能够满足对性能与可靠性有严格要求的设计需求。
- 商品型号
- HNTD2955T4G
- 商品编号
- C42401376
- 商品封装
- TO-252-2L(DPAK)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.39克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 10A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 140mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 31.3W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 12.1nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.137nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 50pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 76pF |
商品概述
HNTD2955T4G采用先进的沟槽技术,可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷,并能在低至4.5 V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = - 60V,ID = - 10A
- 当VGS = 10V时,RDS(ON) < 140 mΩ
应用领域
- 无刷电机
- 负载开关
- 不间断电源