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HBSS84AK215
P沟道 耐压:50V 电流:0.13A
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- 描述
- 这款P沟道场效应管（MOSFET）设计用于低功耗应用，具有0.1A的连续漏极电流能力，支持最高50V的漏源电压。其导通电阻为2000mΩ，适用于对尺寸和功耗有严格要求的场景。栅源电压范围达到20V，确保了良好的开关性能。该MOSFET适合于便携式设备、小型电子装置及需要精密控制的小信号电路中，如电池供电设备中的负载切换或逻辑电平转换等场合。
- 商品型号
- HBSS84AK215
- 商品编号
- C42401373
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0275克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 50V | |
| 连续漏极电流(Id) | 130mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6Ω@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 350mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 25pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 15pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 25pF |
商品概述
HBSS84AK215采用先进的沟槽技术和设计，在低栅极电荷的情况下提供出色的漏源导通电阻（RDS(ON)）。它可用于多种应用场景。
商品特性
- 漏源电压（VDS） = -50V，漏极电流（ID） = -0.13A
- 栅源电压（VGS） = -10V时，漏源导通电阻（RDS(ON)） < 5 Ω
- 栅源电压（VGS） = -4.5V时，漏源导通电阻（RDS(ON)） < 6 Ω
应用领域
- 电源开关应用
- 硬开关和高频电路
- DC-DC转换器
- SOT-23封装
- P沟道MOSFET