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H2N7002LT1G
N沟道 耐压:60V 电流:0.3A
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- 描述
- 该N沟道场效应管具有0.3A的连续漏极电流能力，支持高达60V的漏源电压。其导通电阻为1000毫欧姆，确保了较低的功率损耗和较高的效率。栅源电压范围达到20V，允许在多种电路设计中灵活应用。这款MOSFET适用于需要精确控制和高可靠性的场合，如电源管理、信号处理等领域，能够有效满足对开关速度与能耗比有较高要求的应用场景。
- 商品型号
- H2N7002LT1G
- 商品编号
- C42401375
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.027克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 300mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3Ω@5V | |
| 耗散功率(Pd) | 350mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.9V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 3nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 50pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 25pF |
商品概述
H2N7002LT1G采用先进的沟槽技术,可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷,并能在低至4.5 V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 60 V,ID = 0.3 A
- RDS(ON) < 2 Ω @ VGS = 10 V
- 静电放电等级:HBM ≥ 2000V
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源