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HCSD18534Q5A
N沟道 耐压:60V 电流:65A
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- 描述
- 本产品为N沟道增强型功率MOSFET，适用于高效电源管理系统及负载开关电路。其漏源电压（VDSS）为60V，连续漏极电流（ID）可达65A，导通电阻（RDON）低至8mΩ，支持高效率功率传输并降低发热。栅极驱动电压（VGS）为20V，具备良好的开关特性与稳定性。器件适用于消费类电子、通信设备及便携式产品的电源转换、电机控制和电池管理等应用场景。
- 商品型号
- HCSD18534Q5A
- 商品编号
- C42401372
- 商品封装
- DFN-8L(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.138克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 65A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8mΩ@10V；14mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 89W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 19nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 930pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 20pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 370pF |
商品概述
HCSD18534Q5A采用先进的沟槽技术,可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷,并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 60 V
- ID = 65 A
- RDS(ON) < 11 mΩ VGS = 10 V
应用领域
-电池保护-负载开关-不间断电源