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HSUD50N0306P
1个N沟道 耐压:30V 电流:100A
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- 描述
- 这款N沟道场效应管(MOSFET)拥有100A的最大漏极电流(ID)，能够承受30V的漏源电压(VDSS)，适用于需要高电流处理能力的应用。其导通电阻仅为3.8mΩ，有效降低了功耗并提升了效率。栅极-源极间最大电压(VGS)为20V，确保了良好的兼容性和稳定性。此MOSFET适合用于各种要求快速开关速度与低能耗的电子设备中，如电源转换器、负载控制及信号放大等场景。
- 商品型号
- HSUD50N0306P
- 商品编号
- C42401362
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.378克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 100A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 53W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 20nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.295nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 210pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
HSUD50N0306P采用先进的沟槽技术,可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷,并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 30 V
- ID = 100 A
- RDS(ON) < 5 mΩ @ VGS = 10 V
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源