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HFTK3903Z
耐压:30V 电流:55A
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- 描述
- 此款55A额定电流的P沟道MOSFET，具有30V的漏源极断态电压（VDSS）和仅8毫欧的导通电阻（RDSON），确保了低损耗与高效能。其栅源极电压（VGS）范围为20V，适合用于需要精确控制的应用场合。这款场效应管适用于电源管理、信号切换及多种电子设备中的电流控制模块，能够提供稳定可靠的性能表现。
- 商品型号
- HFTK3903Z
- 商品编号
- C42401365
- 商品封装
- DFN3X3-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.060804克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 55A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 11mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 21.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 30nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | 319pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 输出电容(Coss) | 346pF |
商品概述
HFTK3903Z采用先进的沟槽技术,可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷,并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = -30V
- ID = -55A
- RDS(ON) < 11mΩ @ VGS = -10V
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源