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HDMC3016LDV7
N沟道+P沟道 耐压:30V 电流:16A
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- 描述
- 该场效应管(MOSFET)是一款高性能的N+P沟道器件，支持最大漏极电流16A，具备高达30V的漏源电压(VDSS)。其导通电阻仅为14毫欧姆(RDON)，保证了在工作时的低损耗特性。栅源电压(VGS)为20V，适用于多种电子设备中对效率和空间有较高要求的应用场景。此款MOSFET结合了N沟道与P沟道的优势，在电源管理、信号切换及放大电路等领域展现出优异性能。
- 商品型号
- HDMC3016LDV7
- 商品编号
- C42401366
- 商品封装
- DFN3X3-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.081633克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 16A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 20mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 10.8W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 9.8nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 930pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 115pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 148pF |
商品概述
HDMC3016LDV7采用先进的沟槽技术,可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷,并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 30V,ID = 16A
- 在VGS = 10V时,RDS(ON) < 20mΩ
- VDS = -30V,ID = -14A
- 在VGS = 10V时,RDS(ON) < 30mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源