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HAM7630N
2个N沟道 耐压:30V 电流:30A
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- 描述
- 这款场效应管(MOSFET)为N+N沟道设计，支持最大30安培的漏极电流(ID)与30伏特的漏源电压(VDSS)，适用于高功率需求的应用。其导通电阻仅为10毫欧姆(RDON)，有助于降低功耗并提高系统效率。栅源电压(VGS)为20伏特，确保了良好的驱动性能。该MOSFET适合用于消费电子设备中的高效电源转换、开关控制及各种需要快速响应时间的电路中。
- 商品型号
- HAM7630N
- 商品编号
- C42401368
- 商品封装
- DFN3X3-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.067839克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 12mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 9.63nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 940pF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 109pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
HRD3L01BATTL1采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = -60 V，ID = -20 A
- 在VGS = -10 V时，RDS(ON) < 72 mΩ
- 在VGS = -4.5 V时，RDS(ON) < 100 mΩ
应用领域
- PWM应用-负载开关-电源管理