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HSQ7415AEN
耐压:60V 电流:20A
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- 描述
- 这款20A额定电流的P沟道MOSFET，具备60V的漏源极断态电压（VDSS）和55毫欧的导通电阻（RDSON）。其最大栅源极电压（VGS）为20V，确保了良好的开关特性和低功耗。该场效应管适用于各种电子电路中的电源转换、信号调制等应用，能够实现精准的电流控制和高效的能量转换，同时保持系统的稳定性和可靠性。
- 商品型号
- HSQ7415AEN
- 商品编号
- C42401370
- 商品封装
- DFN-8L(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.066834克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 65mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 25W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 6.1nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 585pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 85pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 输出电容(Coss) | 100pF |
商品概述
HSQ7415AEN采用先进的沟槽技术,可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷,并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = -60V ID = -20A
- RDS(ON) < 65mΩ @ VGS = 4.5V
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源