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HNTTFS5116PLTWG
耐压:60V 电流:20A
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- 描述
- 此款P沟道场效应管具备优良的电气特性，适用于多种电子设备。其最大连续漏极电流为20A，能够满足较高功率需求的应用场景；耐压值达到60V，保证了在较宽电压范围内的稳定工作。导通电阻仅为70mΩ，有效降低了功耗，提高了效率。栅源电压范围支持至20V，确保了良好的控制性能。凭借这些特点，该产品适合用于电源管理、负载开关以及需要精确电流控制的场合，是设计紧凑且高效电路的理想选择。
- 商品型号
- HNTTFS5116PLTWG
- 商品编号
- C42401369
- 商品封装
- WDFN-8(3.3x3.3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.08克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 49mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 25W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 6.1nC@4.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 585pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 85pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 100pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |