温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
HNTTFS5116PLTWG
耐压:60V 电流:20A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- 此款P沟道场效应管具备优良的电气特性，适用于多种电子设备。其最大连续漏极电流为20A，能够满足较高功率需求的应用场景；耐压值达到60V，保证了在较宽电压范围内的稳定工作。导通电阻仅为70mΩ，有效降低了功耗，提高了效率。栅源电压范围支持至20V，确保了良好的控制性能。凭借这些特点，该产品适合用于电源管理、负载开关以及需要精确电流控制的场合，是设计紧凑且高效电路的理想选择。
- 商品型号
- HNTTFS5116PLTWG
- 商品编号
- C42401369
- 商品封装
- WDFN-8(3.3x3.3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.08克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 60mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 25W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 6.1nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 585pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 85pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - |
商品概述
HNTTFS5116PLTWG采用先进的沟槽技术,可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷,并能在低至 4.5V 的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- V D S = - 60V,I D = - 20A
- \mathsfRDS(ON) < 60\mathsfmΩ(@ \mathsfV\mathsfGS = -10\mathsfV)
应用领域
-电池保护-负载开关-不间断电源