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HFDMC6675BZ
1个P沟道 耐压:30V 电流:50A
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- 描述
- 这款P沟道MOSFET具备32A的额定漏极电流（ID），能够承受高达30V的漏源电压（VDSS）。其导通电阻仅为10mΩ，确保了较低的功耗和较高的效率。该器件支持最大25V的栅源电压（VGS），适用于多种电子设备中需要高电流承载能力和快速开关速度的场合，如消费电子产品中的电源控制、信号转换等领域。凭借优秀的电气特性，它是实现紧凑且高效设计的理想选择。
- 商品型号
- HFDMC6675BZ
- 商品编号
- C42401364
- 商品封装
- DFN3X3-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0655克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 13mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 37W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 22nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.215nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 237pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | P沟道 |
商品概述
HFDMC6675BZ采用先进的沟槽技术和设计,可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻RDS(ON)。该器件非常适合高电流负载应用。
商品特性
- 漏源电压VDS = - 30V,漏极电流ID = - 32A
- 当栅源电压VGS = - 10V时,导通电阻RDS(ON) < 12mΩ
- 当栅源电压VGS = - 4.5V时,导通电阻RDS(ON) < 18mΩ
应用领域
- 全桥转换器的高端开关
- 液晶显示器的DC/DC转换器