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HSQD40N0614LGE3
N沟道 耐压:60V 电流:50A
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- 描述
- 这款N沟道场效应管(MOSFET)的最大漏极电流ID为50A，能够承受高达60V的漏源电压VDSS，适用于需要处理中等功率的应用场合。其导通电阻RDON为11mΩ，有助于降低工作时的能耗并提高整体效率。栅源电压VGS支持至20V，确保了与多种驱动电路的良好兼容性。此MOSFET非常适合用于电子设备中的开关控制、电源管理以及信号调节等领域，满足对快速响应时间和可靠性的要求。
- 商品型号
- HSQD40N0614LGE3
- 商品编号
- C42401363
- 商品封装
- TO-252-2L(TO-252AA)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.387克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 15mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 45W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 19.3nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.423nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 97pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 |
优惠活动
购买数量
(2500个/圆盘，最小起订量 5 个)个
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