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HNVD4804NT4G
N沟道 耐压:30V 电流:100A
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- 描述
- 该N沟道场效应管(MOSFET)具备出色的性能参数，其最大漏极电流ID可达100A，适用于高负载场景。耐压值VDSS为30V，保证了在中等电压范围内的稳定运行。导通电阻RDON仅为3.8mΩ，有助于减少工作时的热损耗，提高效率。栅源电压VGS支持至20V，确保了良好的驱动兼容性。这款MOSFET因其低内阻和高效能特性，适合用于需要快速开关响应与良好散热性的电子电路设计中，如电源管理、LED照明控制等领域。
- 商品型号
- HNVD4804NT4G
- 商品编号
- C42401361
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.378克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 100A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 53W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 20nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.295nF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 210pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 |
优惠活动
购买数量
(2500个/圆盘，最小起订量 1 个)个
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