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HIPD650P06NM
1个P沟道 耐压:60V 电流:20A
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- 描述
- 本款P沟道场效应管（MOSFET），标称电流为20A，最大漏源极间电压(VDSS)达到60V，导通电阻(RDS(on))为55毫欧，并能在最高20V的栅源极电压(VGS)下稳定工作。这些特性使其成为电源转换、信号调制等应用的理想选择，特别适用于需要快速响应和高效能表现的电路设计中。其出色的电气性能和可靠性，能够满足各种精密电子设备的需求。
- 商品型号
- HIPD650P06NM
- 商品编号
- C42401360
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.377778克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 67mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 25W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 6.1nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 585pF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 85pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 配置 | - |
商品概述
HSTD20NF10T4采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 100V，ID = 30A
- 当VGS = 10V时，RDS(ON) < 43mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源