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HRD3L01BATTL1
耐压:60V 电流:20A
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- 描述
- 这款P沟道MOSFET具备20A的漏极电流承载能力和60V的漏源电压耐受度，适用于多种电子设备中。其导通电阻仅为64mΩ，有助于降低系统能耗，提高工作效率。最大栅源电压为20V，保证了良好的驱动兼容性和稳定性。该产品适合应用于电源控制、信号处理等领域，是实现高效电路设计的理想选择。
- 商品型号
- HRD3L01BATTL1
- 商品编号
- C42401359
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.39克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 100mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 40W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 48nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.46nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 155pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 配置 | - |
商品概述
HRD3L01BATTL1采用先进的沟槽技术,可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷,并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = -60 V,ID = -20 A
- 在VGS = -10 V时,RDS(ON) < 72 mΩ
- 在VGS = -4.5 V时,RDS(ON) < 100 mΩ
应用领域
-PWM应用-负载开关-电源管理