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HRD3P175SNFRATL
1个N沟道 耐压:100V 电流:20A
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- 描述
- 这款N沟道场效应管拥有20A的最大漏极电流ID，适用于需要处理较大电流的应用场合。其最大漏源电压VDSS为100V，能够在相对较高的电压环境中稳定工作。80mΩ的低导通电阻RDON有助于减少能量损耗，提高整体效率。同时，20V的栅源电压VGS确保了良好的开关特性。该MOSFET适合用于各类消费电子设备中的电源转换、负载控制等场景，是实现高效能与紧凑设计的理想选择。
- 商品型号
- HRD3P175SNFRATL
- 商品编号
- C42401354
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.433333克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 87mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 34.7W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 26.2nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.535nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 37pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - |
商品概述
HRD3P175SNFATL采用先进的沟槽技术,可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷,并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 100V,ID = 20A
- 在VGS = 10V时,RDS(ON) < 87 mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源