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HNTD6414ANT4G
1个N沟道 耐压:100V 电流:30A
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- 描述
- 这款N沟道场效应管具备30A的最大漏极电流ID，能够满足较大电流负载的需求。其最大漏源电压VDSS为100V，适用于多种高压环境下的应用。35mΩ的低导通电阻RDON有助于显著降低功耗，提高系统效率。栅源电压VGS为20V，确保了良好的开关控制性能。该MOSFET非常适合用于消费电子设备中的电源管理、开关电路以及需要高效能转换的应用场合。
- 商品型号
- HNTD6414ANT4G
- 商品编号
- C42401355
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.405051克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 43mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 52.1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 60nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 5.387nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 115pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 输出电容(Coss) | 192pF |
优惠活动
购买数量
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起订量：1 个2500个/圆盘
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