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HSTD20NF10T4
N沟道 耐压:100V 电流:30A
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- 描述
- 这款N沟道MOSFET具有卓越的电气特性，最大连续漏极电流ID为30A，能够处理较高的电流负载；其漏源电压VDSS达到100V，适用于需要承受一定电压水平的应用环境；导通电阻RDSON仅为35mΩ，有助于减少能量损失并提高系统效率；栅源电压VGS支持20V，提供了良好的驱动兼容性。此款场效应管非常适合于消费电子、家用电器等领域的电源控制与转换电路中，确保了高效且可靠的电力管理。
- 商品型号
- HSTD20NF10T4
- 商品编号
- C42401356
- 商品封装
- TO-252-2L(DPAK)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.409克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 43mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 52.1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 60nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 5.387nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 115pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 192pF |
优惠活动
购买数量
(2500个/圆盘，最小起订量 5 个)个
起订量：5 个2500个/圆盘
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